商品名稱：MT29F2T08EMLEEJ4-T:E
品牌：Micron
年份：23+
封裝：BGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
集成電路芯片132-VBGA表面貼裝MT29F2T08EMLEEJ4-T:E內(nèi)存IC
產(chǎn)品介紹
MT29F2T08EMLEEJ4-T:E使用基于頁的操作進(jìn)行編程和讀取，使用基于塊的操作進(jìn)行擦除。
產(chǎn)品屬性
數(shù)據(jù)總線寬度：8位
存儲(chǔ)器格式：FLASH
技術(shù):FLASH - NAND (TLC)
存儲(chǔ)器大小:2Tbit
存儲(chǔ)器組織:256G x 8
存儲(chǔ)器接口:并行
電壓 - 電源:2.6V ~ 3.6V
工作溫度:0°C ~ 70°C
安裝類型：表面安裝
功能特點(diǎn)
操作完成
通過/失敗狀態(tài)
寫入保護(hù)狀態(tài)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
MXIC
WSON-8
90000
FLASH - NAND（SLC） 存儲(chǔ)器 IC 2Gb SPI - 四 I/O 104 MHz 8-WSON（8x6）
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器方案供應(yīng)商。該公司的存儲(chǔ)器方案被應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及外設(shè)、消費(fèi)電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建，總部位于美國愛德荷州，有員工約16,000人，擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點(diǎn)。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
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MT54A16G8080A00AC-32:A 是高性能 HBM2E（High Bandwidth Memory 2nd Enhanced）內(nèi)存組件。
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MT61K512M32KPA-14C:B GDDR6 SGRAM 是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，專為需要高帶寬的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
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MT61M256M32JE-12 AAT:A
MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）。電話咨詢：86-755-83294757
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