商品名稱:IXYN140N120A4
數據手冊:IXYN140N120A4.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:SOT-227
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
IXYN140N120A4溝槽型1200V XPT? GenX4? IGBT采用專有的XPT薄晶圓技術和最先進的第四代 (GenX4?) 溝槽型IGBT工藝研發(fā)而成。該絕緣柵極雙極晶體管具有低熱阻、低能耗、快速開關、低拖尾電流和高電流密度等特性。該器件在開關和短路條件下具有出色的耐用性。
該通孔IGBT還具有方形反向偏置安全工作區(qū) (RBSOA),擊穿電壓高達1200V,因此非常適合用于無緩沖硬開關應用。
產品規(guī)格:
IGBT 類型:PT
配置:單路
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):380 A
功率 - 最大值:1070 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,140A
電流 - 集電極截止(最大值):25 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):8.3 nF @ 25 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:無
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商器件封裝:SOT-227B
基本產品編號:IXYN140
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產品技術特點為高壓、高功率,涵蓋了…
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IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關行為。應用領域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應用場景,包括:太陽能逆變器開關模式電源不間斷電源電機驅動DC/DC轉換器電動汽車充電基礎設施感應加熱…電話咨詢:86-755-83294757
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