商品名稱：XMC4700F144K2048AAXQMA1
數(shù)據(jù)手冊：
XMC4700F144K2048AAXQMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：LQFP144
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1360 件
Infineon XMC4700F144K2048AAXQMA1 ARM? Cortex?-M4內(nèi)核微控制器是32位節(jié)能型高性能MCU，適用于工業(yè)連接、工業(yè)控制、電源轉(zhuǎn)換以及傳感和控制。
規(guī)格：
核心處理器： ARM? Cortex?-M4
內(nèi)核規(guī)格： 32 位單核
速度： 144MHz
連接能力： CANbus，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I2C，LINbus，MMC/SD，SPI，UART/USART，USB OTG，USIC
外設(shè)： DMA，I2S，LED，POR，觸摸感應(yīng)，WDT
I/O 數(shù)： 119
程序存儲容量： 2MB（2M x 8）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 容量： -
RAM 大小： 352K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)： 3.13V ~ 3.63V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 32x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 144-LQFP 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝： PG-LQFP-144-24
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
UFQFPN-20
2000
ARM? Cortex?-M0+ STM32L0 微控制器 IC 32 位單核 32MHz 16KB（16K x 8） 閃存 20-UFQFPN（3x3）
ST
LQFP32
10000
ARM? Cortex?-M4 STM32F3 微控制器 IC 32 位單核 72MHz 64KB（64K x 8） 閃存 32-LQFP（7x7）
ST
LQFP-100
2500
ARM? Cortex?-M4 STM32F4 微控制器 IC 32 位單核 168MHz 1MB（1M x 8） 閃存 100-LQFP（14x14）
ST
LQFP48
3000
ARM? Cortex?-M0 STM32F0 微控制器 IC 32 位單核 48MHz 256KB（256K x 8） 閃存 48-LQFP（7x7）
INFINEON
100-TQFP
1000
ARM? Cortex?-M0+ PSOC? 4 CY8C4100S 微控制器 IC 32-位 48MHz 384KB（384K x 8） 閃存
TI
LQFP-144
1000
Hercules? TMS570 ARM? Cortex?-R 微控制器 IC 16/32-位 160MHz 3MB（3M x 8） 閃存 144-LQFP（20x20）
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)（如 CoolSiC? G2）的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制，并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此，可以充分利用 SiC 的特性，同時(shí)保持較小的占位面積，這是功率密度提…
IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)（如 CoolSiC? G2）的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制，并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此，可以充分利用 SiC 的特性，同時(shí)保持較小的占位面積，這是功率密度提…
ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值，便于功率損耗管理，使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設(shè)計(jì)復(fù)雜性。此外，該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點(diǎn)汽車級認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…
ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)，憑借其無與倫比的性能和可靠性，為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì)，適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點(diǎn)與 OptiMOS? 5 相
IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下，為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì)，適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝，它實(shí)現(xiàn)了頂部散熱，提供卓越的熱性能，通過散熱片將高達(dá) 9…電話咨詢：86-755-83294757
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