商品名稱:SCTW70N120G2V
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCTW70N120G2V.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HiP247
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC(碳化硅)功率MOSFET導(dǎo)通電阻極小,開關(guān)性能非常出色,幾乎不受溫度影響,因?yàn)閷拵恫牧暇哂邢冗M(jìn)、創(chuàng)新的特性。該器件還具有非??焖?、堅(jiān)固的內(nèi)置體二極管以及極低的柵極電荷和輸入能力。額定溫度高達(dá)200°C,因此改進(jìn)了電力電子系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):91A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):30 毫歐 @ 50A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.9V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):150 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3540 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):547W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:HiP247?
封裝/外殼:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào):SCTW70
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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