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SCT4018KEC11 1200V  N溝道碳化硅 (SiC) MOSFET在開關(guān)期間不會產(chǎn)生尾電流，因此動作更快，開關(guān)損耗更低。它們的低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：81A（Tj）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：23.4 毫歐 @ 42A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 22.2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：170 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+21V，-4V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4532 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：312W

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247N

封裝/外殼：TO-247-3

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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