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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):TW027N65C,S1F

商品名稱:TW027N65C,S1F

數(shù)據(jù)手冊(cè):TW027N65C,S1F.pdf

品牌:TOSHIBA

年份:23+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
TOSHIBA
型號(hào)
TW027N65C,S1F
封裝
TO-247-3
描述
通孔 N 通道 650V 58A(Tc) 156W(Tc)TO-247

產(chǎn)品描述

TW027N65C,S1F(650V)第三代碳化硅MOSFET器件專為開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器應(yīng)用而設(shè)計(jì),該MOSFET有助于降低功耗和提高功率密度。此外輸入電容(CISS)為2288 pF(典型值),低柵極輸入電荷(Qg)為65 nC(典型值)和漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為37 mΩ(典型值)。


產(chǎn)品規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):37 毫歐 @ 29A,18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 3mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):65 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+25V,-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2288 pF @ 400 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):156W(Tc)

工作溫度:175°C

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-247

封裝/外殼:TO-247-3


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常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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TOSHIBA

TOSHIBA

TOSHIBA(東芝),是日本最大的半導(dǎo)體制造商、第二大綜合電機(jī)制造商,隸屬于三井集團(tuán)。東芝原名東京芝浦電氣株式會(huì)社,1939年由株式會(huì)社芝浦制作所和東京電氣株式會(huì)社合并而成;從1875年開創(chuàng)至今,已經(jīng)走過了140年的漫長(zhǎng)歷程。2018年,東芝將其筆記本電腦業(yè)務(wù)賣給了夏普。…

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