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1200V TW045N120C,S1F是一款第三代(內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管)芯片設(shè)計的碳化硅MOSFET器件。這些MOSFET有助于降低功耗和提高功率密度，還能夠提供更高的電壓、更快的開關(guān)和更低的導(dǎo)通電阻。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：59 毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6.7mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：57 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1969 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：182W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247

封裝/外殼：TO-247-3

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。