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NVBG020N090SC1 N溝道MOSFET是采用新技術(shù)，具有出色開關(guān)性能和高可靠性的碳化硅（SiC）MOSFET。該器件具有低導通電阻，采用緊湊芯片，可確保低電容和低柵極電荷。典型應(yīng)用包括DC/DC轉(zhuǎn)換器（用于EV/HEV）和車載充電器。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：900 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9.8A（Ta），112A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 60A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：200 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4415 pF @ 450 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），477W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：NVBG020

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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