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STW35N60DM2 高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh? DM2 快速恢復二極管系列的一部分。它具有非常低的恢復電荷 （Qrr） 和時間 （trr） 以及低 RDS（on），使其適用于最苛刻的高效率轉換器，是橋式拓撲和 ZVS 相移轉換器的理想選擇。

STW35N60DM2 的規(guī)格

產(chǎn)品種類：MOSFET

RoHS： 詳細信息

技術：Si

安裝風格：Through Hole

封裝 / 箱體：TO-247-3

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：600 V

Id-連續(xù)漏極電流：28 A

Rds On-漏源導通電阻：110 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V

Qg-柵極電荷：54 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 150°C

Pd-功率耗散：210 W

通道模式：Enhancement

商標名：MDmesh

封裝：Tube

商標：STMicroelectronics

配置：Single

下降時間：10.7 ns

產(chǎn)品類型：MOSFETs

上升時間：17 ns

系列：STW35N60DM2

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