商品名稱:SPC58NH92C3RMI0Y
數(shù)據(jù)手冊(cè):SPC58NH92C3RMI0Y.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:302-BGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SPC58NH92C3RMI0Y 是 32 位 Power Architecture 汽車 MCU,三 z4 內(nèi)核,200 MHz,10 MBytes 閃存,HSM,ASIL-D。
SPC58NH92C3RMI0Y 是高性能 e200z4 三核、32 位 Power Architecture 技術(shù) CPU,內(nèi)核頻率高達(dá) 200 MHz。
產(chǎn)品屬性
核心處理器:e200z4
內(nèi)核尺寸:32 位三核
速度:200MHz
連接:eMMC/SD/SDIO、I2C、LINbus、PSI5、SPI、UART/USART
外設(shè):DMA、POR、WDT
I/O 數(shù)量:205
程序存儲(chǔ)器大小:10MB(10M x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:FLASH
EEPROM 大?。?56K x 8
RAM 大小:1.25M x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 96x10/12b SAR
振蕩器類型:外部,內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 125°C (TA)
產(chǎn)品特性
高性能 e200z4 三核:
32 位電源架構(gòu)技術(shù) CPU
內(nèi)核頻率高達(dá) 200 MHz
可變長度編碼 (VLE)
浮點(diǎn)運(yùn)算、端到端糾錯(cuò)
外部低壓電源(1.2V)
10496 KB(10240 KB 代碼閃存 + 256 KB 數(shù)據(jù)閃存)片上閃存
1088 KB 片上通用 SRAM(此外還有 192 KB 內(nèi)核本地?cái)?shù)據(jù) RAM)
224 KB HSM 專用閃存(192 KB 代碼 + 32 KB 數(shù)據(jù))
多通道直接內(nèi)存訪問控制器(eDMA)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
100-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
100-LQFP
1000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
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L6699DTR
L6699DTR 是一款專為串聯(lián)諧振半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)的雙端控制器。STGD6NC60HDT4
STGD6NC60HDT4 是意法半導(dǎo)體推出的 N溝道IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于 PowerMESH? 系列,采用 DPAK(TO-252-3)表面貼裝封裝,適用于高頻開關(guān)電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)逆變器等應(yīng)用。L9997ND013TR
L9997ND013TR 是汽車級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC,專為有刷直流電機(jī)設(shè)計(jì),具有高集成度和出色的性能,能夠提供精確的電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)功能,適用于多種汽車應(yīng)用場景。VND5N07TR
VND5N07TR 一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OMNIFET II? 和 VIPower? 系列,采用 DPAK(TO-252-3)封裝。STPS41H100CG
STPS41H100CG 是一款雙共陰極肖特基二極管陣列,采用 D2PAK(TO-263-3)封裝,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器及功率管理電路。STL220N6F7
STL220N6F7是意法半導(dǎo)體的N溝道功率MOSFET,屬于STripFET? F7系列,采用PowerFLAT?(56mm)封裝,具有超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和高電流承載能力,適用于新能源汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、服務(wù)器電源、光伏逆變器等高功率密度應(yīng)用場景。STL220N6F7 特點(diǎn)超低導(dǎo)通電阻:1.2mΩ(…電話咨詢:86-755-83294757
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