商品名稱:碳化硅(SiC)模塊
品牌:Wolfspeed
年份:25+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用,如感應加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設施。
HAS350M12BM3具有以下特性:
漏源電壓(Vdss):1200V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):350A
行業(yè)標準62mm占位面積,可進行系統(tǒng)改造
提供各種額定電流和額定電壓,可滿足各種工業(yè)應用的要求
高濕度運行:THB-80(HV-H3TRB)
超低損耗、高頻運行
二極管零反向恢復
來自 MOSFET 的零關(guān)斷拖尾電流
常關(guān)型、故障安全器件運行
由于SiC的開關(guān)和導通損耗低,因此提高了系統(tǒng)效率
快速上市,從62mm IGBT封裝過渡所需的開發(fā)極少
銅基板和氮化鋁絕緣體
HAS350M12BM3的應用范圍
感應加熱
電機驅(qū)動器
可再生能源
鐵路輔助和牽引
電動車快速充電
UPS和SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認證的SiC 功率模塊,主要用于感應加熱、電機驅(qū)動、能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、鐵路、電動汽車快速充電等高頻工業(yè)應用?領(lǐng)域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):530…CHB011M12GM4
CHB011M12GM4是一款1200V,100A的T型工業(yè)級碳化硅(SiC)模塊,主要用于工業(yè)領(lǐng)域,特別是需要高性能、高可靠性的應用場景。其低電感和穩(wěn)健的布局使其在惡劣環(huán)境下表現(xiàn)出色,適合各種工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)。CHB011M12GM4具有以下規(guī)格:技術(shù):碳化硅(SiC)配置:4 個 N 通…CAB004M12GM4
CAB004M12GM4是一款1200 V / 200A的碳化硅(SiC)功率模塊,由Wolfspeed公司生產(chǎn),主要用于各種工業(yè)應用,特別是在需要高效、高可靠性的電力電子系統(tǒng)中。CAB004M12GM4具有以下規(guī)格參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V…HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點工業(yè)標準 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600(I 類材料)符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標準高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設計超低損耗、高頻運行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…電話咨詢:86-755-83294757
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