商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TSDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:
出色的導通電阻
符合標準的開關性能(低品質因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qgd)
符合RoHS標準且無鹵素
經(jīng)過優(yōu)化的EMI表現(xiàn)( 集成的阻尼網(wǎng)絡)
高效率
采用S3O8或Power Block模塊封裝的高功率密度
降低了總體系統(tǒng)成本
在高開關頻率下運行
BSZ011NE2LS5I的性能參數(shù)
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Ta),40A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.1毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):50 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3400 pF @ 12 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TSDSON-8
應用領域
臺式機和服務器r
單相和多相PoL
筆記本電腦中的CPU/GPU電壓調節(jié)
高功率密度電壓調節(jié)器
O形環(huán)
電子保險絲
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現(xiàn)靈活設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現(xiàn)靈活設計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…ISC012N03LF2S
ISC012N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,其具有270 A電流,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其主要規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):…電話咨詢:86-755-83294757
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