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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:BSZ011NE2LS5I

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:TSDSON-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
BSZ011NE2LS5I
封裝
TSDSON-8
描述
1.1 m?、OptiMOS? 5 25V功率MOSFET

產(chǎn)品描述

BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:

出色的導通電阻

符合標準的開關性能(低品質因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qgd)

符合RoHS標準且無鹵素

經(jīng)過優(yōu)化的EMI表現(xiàn)( 集成的阻尼網(wǎng)絡)

高效率

采用S3O8或Power Block模塊封裝的高功率密度

降低了總體系統(tǒng)成本

在高開關頻率下運行


BSZ011NE2LS5I的性能參數(shù)

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):25 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Ta),40A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.1毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):50 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3400 pF @ 12 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PG-TSDSON-8


應用領域

臺式機和服務器r

單相和多相PoL

筆記本電腦中的CPU/GPU電壓調節(jié)

高功率密度電壓調節(jié)器

O形環(huán)

電子保險絲


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描述

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2000

73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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  • 5.下單后什么時候能發(fā)貨?多久能到?

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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