商品名稱:汽車 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IPG20N04S4L-18A是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 系列,采用 TDSON-8(PG-TDSON-8)封裝。該器件具有 低導(dǎo)通電阻(RDS(on)) 和 高電流承載能力,適用于 高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)自動(dòng)化 等應(yīng)用。
IPG20N04S4L-18A 核心特性
低導(dǎo)通電阻:4mΩ @ 10V VGS(典型值),降低功率損耗。
連續(xù)漏極電流(ID):20A(Ta) / 60A(Tc)。
峰值脈沖電流(IDRM):150A(短時(shí)脈沖)。
低柵極電荷(Qg):12nC @ 10V,減少開關(guān)損耗。
工作溫度范圍:-55°C ~ +175°C(TJ)。
符合AEC-Q101汽車級(jí)認(rèn)證,適用于嚴(yán)苛環(huán)境。
綠色環(huán)保:RoHS 合規(guī),無鉛設(shè)計(jì)。
規(guī)格參數(shù)
型號(hào):IPG20N04S4L-18A
品牌:Infineon(英飛凌)
封裝:TDSON-8(PG-TDSON-8)
通道類型:N溝道增強(qiáng)型
漏源電壓(VDS): 40V
連續(xù)漏極電流(ID): 20A(Ta) / 60A(Tc)
導(dǎo)通電阻(RDS(on)): 4mΩ @ 10V(典型值)
柵極電荷(Qg): 12nC @ 10V
輸入電容(Ciss) :1990pF @ 25V
柵源電壓(VGS): ±20V(最大)
閾值電壓(VGS(th)): 2.2V @ 15μA
功率耗散(PD): 41W(最大值)
工作溫度范圍: -55°C ~ +175°C(TJ)
符合標(biāo)準(zhǔn):RoHS、無鉛、AEC-Q101(汽車級(jí))
包裝方式:卷帶(Tape & Reel)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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IPG20N06S2L-50A 是一款高性能雙 N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高電流能力和出色的熱性能,適用于汽車級(jí)應(yīng)用。IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12 是一款由英飛凌生產(chǎn)的 55V N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于汽車級(jí)應(yīng)用,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)。ISC007N04NM6
ISC007N04NM6 是N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 6 系列,采用 PG-TDSON-8 FL 封裝。IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封裝。ISC015N03LF2S
ISC015N03LF2S是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? LF系列,采用 SuperSO8(PG-TSDSON-8)封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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