商品名稱:NXH800A100L4Q2F2S1G
數(shù)據(jù)手冊:NXH800A100L4Q2F2S1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NXH800A100L4Q2F2S1G集成模塊(PIM)包含一個A型NPC級 1000V,其中有1000V FS4 IGBT和1000V Extremefast二極管。這款模塊還包含一個NTC熱敏電阻。NXH800A100L4Q2F2S1G模塊帶有低熱阻抗基板,press-fit引腳或焊接引腳可選。NXH800A100L4Q2F2S1G采用場截止技術的極高效溝道,低開關損耗降低了系統(tǒng)功耗,模塊設計提供高功率密度,低電感布局,封裝高度低,是一款無鉛器件。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:三級反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1000 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):309 A
功率 - 最大值:714 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,400A
電流 - 集電極截止(最大值):20 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):49.7 nF @ 20 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:51-PIM/Q2PACK(93x47)
應用
? 太陽能逆變器
? 不間斷電源系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應用設計。電話咨詢:86-755-83294757
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