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羅姆晶體管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N溝道碳化硅功率MOSFET

來源：本站時(shí)間：2023-06-28瀏覽數(shù)：

深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)）（回收）羅姆晶體管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N溝道碳化硅功率MOSFETROHM SemiconductorN溝道SiC（碳化硅）功率MOSFET在開關(guān)期間不會(huì)產(chǎn)生尾電流，因此動(dòng)作更快，開關(guān)損耗更低。它們的低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)）（回收）羅姆晶體管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N溝道碳化硅功率MOSFET

ROHM SemiconductorN溝道SiC（碳化硅）功率MOSFET在開關(guān)期間不會(huì)產(chǎn)生尾電流，因此動(dòng)作更快，開關(guān)損耗更低。它們的低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。這些ROHM SiC Power MOSFET的導(dǎo)通電阻增加非常微弱，封裝小型化更為出色。與標(biāo)準(zhǔn)硅器件相比，它們具有更出色的節(jié)能效果，在標(biāo)準(zhǔn)硅器件中，導(dǎo)通電阻隨溫度的升高可增加一倍以上。

SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：30A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 104 毫歐 @ 10A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 48 nC @ 18 V

Vgs（最大值）： +22V，-4V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 571 pF @ 500 V

FET 功能： -