8月2日消息，據(jù)媒體報道，美國和日本決定合作研發(fā)新一代芯片，兩國計劃今年年內(nèi)在日本設(shè)立研發(fā)設(shè)施并建造示范生產(chǎn)線，目標(biāo)是2025年批量生產(chǎn)出2納米芯片，這與臺積電的目標(biāo)相同。
8月2日消息，據(jù)媒體報道，美國和日本決定合作研發(fā)新一代芯片，兩國計劃今年年內(nèi)在日本設(shè)立研發(fā)設(shè)施并建造示范生產(chǎn)線，目標(biāo)是2025年批量生產(chǎn)出2納米芯片，這與臺積電的目標(biāo)相同。
據(jù)日經(jīng)亞洲報道，當(dāng)?shù)貢r間7月29日，美日兩國的外交部長和經(jīng)濟部長在美國華盛頓舉行日美經(jīng)濟政策協(xié)商委員會（EPCC）會議，美國國務(wù)、商務(wù)部長和日本外務(wù)大臣、經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣在當(dāng)天發(fā)表聯(lián)合聲明。四位部長表示，兩國將合作成立研究中心，研發(fā)量子計算機或人工智能（AI）所需的新一代芯片。
兩國尚未立即公布該計劃的更多細(xì)節(jié)，但據(jù)29日報道稱，這一研發(fā)中心將研究2納米芯片，并且包括一條原型生產(chǎn)線，目標(biāo)是在2025年之前開始生產(chǎn)。
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