8月7日消息，據媒體報道，作為全球最早量產HBM4的存儲器制造商，SK海力士正為AI芯片提供關鍵解決方案。依托與英偉達的獨家供應鏈關系及自身技術領先地位，SK海力士計劃提高HBM4售價，預計相比HBM3E溢價可能高達70%。業(yè)內消息指出，今年上半年，SK海力士供應給英偉達的12層…
8月7日消息，據媒體報道，作為全球最早量產HBM4的存儲器制造商，SK海力士正為AI芯片提供關鍵解決方案。依托與英偉達的獨家供應鏈關系及自身技術領先地位，SK海力士計劃提高HBM4售價，預計相比HBM3E溢價可能高達70%。
業(yè)內消息指出，今年上半年，SK海力士供應給英偉達的12層堆疊HBM4單價約為500美元，相較同規(guī)格HBM3E（約300美元）高出60%-70%。
這一強勢定價源于其在英偉達Blackwell Ultra產品組合中近乎壟斷的HBM3E供應地位，以及HBM4領域的先發(fā)優(yōu)勢。更高的價格也反映了新一代HBM制造技術的復雜性，特別是其選擇臺積電4nm工藝生產基礎裸片（Base Die）的成本考量。
面對高利潤HBM市場的激烈爭奪，三星正加速推進1cnm DRAM技術的開發(fā)與量產。吸取過往經驗，三星此次策略轉向穩(wěn)扎穩(wěn)打：不盲目追求搶先供應HBM4，而是聚焦于打造一款能夠實現(xiàn)穩(wěn)定供應的成熟產品，以贏得AMD及英偉達等客戶的采用，確保長期可靠收益。隨著HBM4時代臨近，頭部廠商間的競爭態(tài)勢預計將比HBM3/HBM3E時期更為激烈。
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