概述:GS6100x 100V E-HEMT晶體管是增強型硅基氮化鎵功率器件。這些晶體管具有GaN的特性,可提供高電流、高擊穿電壓和極高的開關(guān)頻率。GS6100x晶體管采用島式技術(shù)單元布局,以提供高電流芯片和高產(chǎn)量。它們還采用GaNPX封裝,在小封裝中提供低電導和低熱阻。GS6100x晶體管…
概述:
GS6100x 100V E-HEMT晶體管是增強型硅基氮化鎵功率器件。這些晶體管具有GaN的特性,可提供高電流、高擊穿電壓和極高的開關(guān)頻率。GS6100x晶體管采用島式技術(shù)單元布局,以提供高電流芯片和高產(chǎn)量。它們還采用GaNPX封裝,在小封裝中提供低電導和低熱阻。GS6100x晶體管為高功率應用提供極低的結(jié)至外殼熱阻。所有這些特性相結(jié)合,提供了非常高效的電源開關(guān)。
GS61008T-MR 參數(shù):
技術(shù):GaN-on-Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:GaNpx
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:90 A
Rds On-漏源導通電阻:9.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 7 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V
Qg-柵極電荷:8 nC
最小工作溫度:- 55°C
最大工作溫度:+ 150°C
Pd-功率耗散:-
通道模式:Enhancement
商標名:GaNPX
系列:GS6100x
配置:Single
開發(fā)套件:GS61008P-EVBHF
濕度敏感性:Yes
產(chǎn)品類型:MOSFET
單位重量:3 g
應用:
不間斷電源(UPS)
工業(yè)電機驅(qū)動
機器人學
無線電力傳輸
快速電池充電
D類放大器
能量存儲系統(tǒng)
交流/DC轉(zhuǎn)換器(次級側(cè))
牽引驅(qū)動
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