NCD57001FDWR2G：隔離式高電流SiC/MOSFET/IGBT柵極驅動器概述NCD57001FDWR2G是一款高電流單通道SiC/MOSFET/IGBT驅動器，具有內部電流隔離功能，設計用于提高系統效率和可靠性。該柵極驅動器具有互補輸入、開漏故障和就緒輸出、有源米勒鉗位、精確欠壓閉鎖 (UVLO)、去飽和…
NCD57001FDWR2G：隔離式高電流SiC/MOSFET/IGBT柵極驅動器
概述
NCD57001FDWR2G是一款高電流單通道SiC/MOSFET/IGBT驅動器，具有內部電流隔離功能，設計用于提高系統效率和可靠性。該柵極驅動器具有互補輸入、開漏故障和就緒輸出、有源米勒鉗位、精確欠壓閉鎖 (UVLO)、去飽和 (DESAT) 保護以及去飽和 (DESAT) 時軟關斷等特性。安森美半導體NCD57001FDWR2G柵極驅動器可在輸入側提供5V和3.3V信號，在驅動器側提供較寬的偏置電壓范圍，包括負電壓能力。該柵極驅動器具有5kVrms（符合UL1577標準）電流隔離和1200Viorm（工作電壓）功能。典型應用包括太陽能逆變器、電機控制、不間斷電源 (UPS)、工業(yè)電源和焊接。
特性
在IGBT米勒平臺電壓下具有+4/-6A大電流輸出
低輸出阻抗，用于增強型IGBT驅動
傳播延遲時間短，具有精確匹配
有源米勒鉗位，防止雜散柵極導通
DESAT保護，帶可編程延遲
針對DESAT的負電壓（低至-9 V）能力
IGBT短路期間的軟關斷
短路期間的IGBT柵極鉗位
IGBT柵極有源下拉
UVLO閾值小，實現偏置靈活性
寬偏置電壓范圍，包括負VEE2
輸入電源電壓范圍：3.3V至5V
設計用于符合AEC-Q100標準
5000V電流隔離（以滿足UL1577要求）
1200V工作電壓（符合VDE0884-10要求）
高瞬態(tài)抗擾度
高電磁抗擾度
無鉛、無鹵，符合RoHS指令
應用
太陽能逆變器
電機控制
UPS
工業(yè)電源
焊接
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