意法半導體推出N溝道STripFET F8功率MOSFET——STL320N4LF8 汽車級 N 溝道 40 V 邏輯電平、典型值 0.55 mOhm、STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝。描述N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù)，具有增強的溝槽柵結(jié)構(gòu)。產(chǎn)品的通態(tài)電阻極低，可減小內(nèi)部電容和…
意法半導體推出N溝道STripFET F8功率MOSFET——STL320N4LF8 汽車級 N 溝道 40 V 邏輯電平、典型值 0.55 mOhm、STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝。
描述
N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù)，具有增強的溝槽柵結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品的通態(tài)電阻極低，可減小內(nèi)部電容和柵極電荷，從而實現(xiàn)更加快速、高效的開關(guān)切換。
應(yīng)用示例
計算機及外設(shè)
電源與轉(zhuǎn)換器
家庭電器和專業(yè)電器
游戲和無人機
電機控制
STL320N4LF8 N 溝道增強模式邏輯電平 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 功率 MOSFET
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
系列: STripFET F8
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 360 A
Rds On-漏源導通電阻: 800 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 43 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: 增強
框圖
引腳配置
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
![[供應(yīng)] TI 音頻放大器（TPA3128D2DAPR）30W 立體聲模擬輸入 D 類音頻放大器](/upload/202505/14/202505141447455224.png)
