商品名稱:CY8C4248LQI-BL553T
數(shù)據(jù)手冊:CY8C4248LQI-BL553T.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:QFN-56
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CY8C4248LQI-BL553T BLE嵌入式系統(tǒng)控制器設(shè)有用于嵌入式系統(tǒng)控制器的可擴(kuò)展和可配置平臺。 該控制器搭載ARM? Cortex?-M0 CPU,將可編程和可配置模擬和數(shù)字塊與靈活的自動(dòng)路由相結(jié)合。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類:射頻微控制器 - MCU
核心: ARM Cortex M0
工作頻率: 2.4 GHz
數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit
程序存儲(chǔ)器大小: 256 kB
數(shù)據(jù) RAM 大小: 32 kB
最大時(shí)鐘頻率: 48 MHz
ADC分辨率: 12 bit
電源電壓-最小: 1.71 V
電源電壓-最大: 5.5 V
最大工作溫度: + 85 C
封裝 / 箱體: QFN-56
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝: Tray
商標(biāo): Infineon Technologies
數(shù)據(jù) Ram 類型: SRAM
接口類型: I2C, SPI, UART
最小工作溫度: - 40 C
濕度敏感性: Yes
ADC通道數(shù)量: 24 Channel
輸入/輸出端數(shù)量: 36 I/O
定時(shí)器數(shù)量: 4 Timer
工作電源電壓: 1.71 V to 5.5 V
處理器系列: PSoC 4
程序存儲(chǔ)器類型: Flash
系列: CY8C4248
技術(shù): Si
商標(biāo)名:PSoC 4
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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