商品名稱：S26HS01GTGABHA030
數(shù)據(jù)手冊：
S26HS01GTGABHM033.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：24-FBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
S26HS01GTGABHA030 SEMPER?閃存（帶HYPERBUS? ）是一套高性能、安全、可靠的NOR閃存解決方案。這些組件集成了關(guān)鍵安全功能，用于汽車、工業(yè)、通信等行業(yè)的各種應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
存儲器類型： 非易失
存儲器格式： 閃存
技術(shù)： FLASH - NOR（SLC）
存儲容量： 1Gb
存儲器組織： 128M x 8
存儲器接口： HyperBus
時鐘頻率： 200 MHz
寫周期時間 - 字，頁： 1.7ms
訪問時間： 5.45 ns
電壓 - 供電： 1.7V ~ 2V
工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝： 24-FBGA（8x8）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…
BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是（Infineon）推出的OptiMOS? 5功率MOSFET，設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件，該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性：出色的導通電阻符合標準的開關(guān)性能（低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…
ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化，可為各種應(yīng)用提供支持，實現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源…
ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由（Infineon）生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品，屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化，實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù)，可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…
ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列，其采用新一代功率MOSFET技術(shù)，可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化，可為各種應(yīng)用提供支持，實現(xiàn)靈活設(shè)計…
ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是（Infineon）推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢：86-755-83294757
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