商品名稱:S28HS01GTFPBHM030
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
S28HS01GTFPBHM030 Semper 閃存八進制系列產品是高速 CMOS MirrorBit NOR 閃存器件,符合 JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) 規(guī)范。Semper 閃存專為功能安全而設計,其開發(fā)符合 ISO 26262 標準,可實現 ASIL-B 合規(guī)性和 ASIL-D 就緒性。
產品屬性
存儲器類型: 非易失
存儲器格式: 閃存
技術: FLASH - NOR(SLC)
存儲容量: 1Gb
存儲器組織: 128M x 8
存儲器接口: SPI - 八 I/O
時鐘頻率: 166 MHz
寫周期時間 - 字,頁: 1.7ms
訪問時間: 5.45 ns
電壓 - 供電: 1.7V ~ 2V
工作溫度: -40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 24-VBGA
供應商器件封裝: 24-FBGA(8x8)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質因數 (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關性能(低品質因數Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產的一款功率MOSFET產品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現了設計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。ISC023N03LF2S產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關鍵參數:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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