商品名稱:CYT4BB8CEBQ1AEEGS
數(shù)據(jù)手冊(cè):CYT4BB8CEBQ1AEEGS.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:176-TEQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CYT4BB8CEBQ1AEEGS 有一個(gè)或兩個(gè)用于主處理的 Arm? Cortex?-M7 CPU 和一個(gè)用于外設(shè)和安全處理的 Arm? Cortex?-M0+ CPU。這些器件包含支持具有靈活數(shù)據(jù)速率的控制器局域網(wǎng)、本地互連網(wǎng)和以太網(wǎng)的嵌入式外設(shè)。
功能特點(diǎn)
內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)
共享內(nèi)存保護(hù)單元(SMPU)
外設(shè)保護(hù)單元(PPU)
看門狗定時(shí)器 (WDT)
多計(jì)數(shù)器看門狗定時(shí)器 (MCWDT)
低電壓檢測(cè)器 (LVD)
欠壓檢測(cè)器 (BOD)
過壓檢測(cè)器 (OVD)
時(shí)鐘監(jiān)控器 (CSV)
最多兩個(gè)從休眠模式喚醒的引腳
最多 152 個(gè) GPIO 引腳,用于從休眠模式喚醒
事件發(fā)生器、SCB、看門狗定時(shí)器、RTC 警報(bào),用于從深度睡眠模式喚醒
內(nèi)部主振蕩器 (IMO)
內(nèi)部低速振蕩器 (ILO)
外部晶體振蕩器 (ECO)
手表晶體振蕩器 (WCO)
鎖相環(huán) (PLL)
鎖相環(huán) (FLL)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
TI
VQFN-32
9000
MSP430 CPU16 MSP430G2xx 微控制器 IC 16 位 16MHz 16KB(16K x 8) 閃存 32-VQFN(5x5)
Cypress
QFN-40
2000
ARM? Cortex?-M0+ null 微控制器 IC 32-位 24MHz 16KB(16K x 8) 閃存 40-QFN(6x6)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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