商品名稱:CYW55571MIWBGT
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:BGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CYW55571MIWBGT 屬于 Wi-Fi 6/6E 和 Bluetooth? 5.3 SoC 系列。這款功能強(qiáng)大的解決方案支持 Wi-Fi 6/6E 功能,支持三頻(2.4G、5G、6G),可提供單一數(shù)據(jù)流。
功能概述
Wi-Fi 6/6E 三頻 1x1,第 1 版和第 2 版功能: ODDMA、MU-MIMO、TWT、DCM
20/40/80 MHz 信道、1024-QAM、最高 600 Mbps PHY 數(shù)據(jù)速率
STA 和軟 AP 模式
網(wǎng)絡(luò)卸載功能可節(jié)省芯片和系統(tǒng)級功耗
多層安全性可在整個產(chǎn)品生命周期內(nèi)保護(hù)各個子系統(tǒng)
Wi-Fi 和 Bluetooth? 之間的智能共存,或與外部 LTE 15.4 無線電設(shè)備共存
潛在應(yīng)用
游戲
智能揚(yáng)聲器
語音輔助系統(tǒng)
AR/VR
數(shù)碼相機(jī)
安防系統(tǒng)
工業(yè)網(wǎng)關(guān)
支持人工智能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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