商品名稱:2EDL8033G4B
數(shù)據(jù)手冊(cè):2EDL8033G4B.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:VDSON-8-5
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
2EDL8033G4B設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋配置中的高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá) 120 V 的高壓側(cè) MOSFET。版本 4 提供 4 A 電流能力,而版本 3 則提供 3 A 電流能力。高壓側(cè)偏置電壓通過(guò)自舉技術(shù)產(chǎn)生,使用集成的自舉二極管。驅(qū)動(dòng)器的輸入與 TTL 邏輯兼容,可承受 -10 V 至 20 V 的輸入共模擺幅。獨(dú)立輸入允許獨(dú)立控制高壓側(cè)和低壓側(cè)域。高壓側(cè)和低壓側(cè)電源上的欠壓鎖定(UVLO)會(huì)強(qiáng)制將相應(yīng)的輸出變?yōu)榈碗娖健?/span>
特性
● 抗噪
● 堅(jiān)固耐用
應(yīng)用
● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
● 家用電器
● SMPS
● 電池供電應(yīng)用
● 大功率照明
型號(hào)
品牌
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車(chē)和太陽(yáng)能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車(chē)和太陽(yáng)能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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