商品名稱:IPB19DP10NM
數(shù)據(jù)手冊:IPB19DP10NM.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPB19DP10NM 12V-250V P溝道功率MOSFET為設(shè)計人員提供一個新選項,以便在優(yōu)化性能的同時簡化電路。P溝道器件的主要優(yōu)點是降低了中低功耗應(yīng)用中的設(shè)計復(fù)雜性。P溝道功率MOSFET非常適合用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:P 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):2.9A(Ta), 13.8A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):185 毫歐 @ 12A, 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1.04mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):45 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),83W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
應(yīng)用
● 電池保護(hù)
● 反極性保護(hù)
● 線性電池充電器
● 負(fù)載開關(guān)
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 低壓驅(qū)動
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
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