商品名稱(chēng):N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:22+
封裝:PG-TSDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:40000 件
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專(zhuān)為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。
BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
快速開(kāi)關(guān)能力:低柵極電荷(Qg = 9.1nC @ 10V),支持高頻工作場(chǎng)景,減少開(kāi)關(guān)損耗。
高電流承受能力:連續(xù)漏極電流(Id)可達(dá) 18A(Tc),脈沖電流(Idp)可達(dá) 660A。
高可靠性:符合汽車(chē)電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101,確保在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。
環(huán)保合規(guī):符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素。
緊湊封裝:采用 PG-TSDSON-8 封裝,體積小巧,節(jié)省電路板空間。
BSZ440N10NS3G技術(shù)參數(shù)
漏源電壓(Vdss):100V
連續(xù)漏極電流(Id):18A(@Tc=25°C)
脈沖漏極電流(Idp): 40A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):38mΩ @ 10V, 12A
柵極電荷(Qg):9.1nC @ 10V
輸入電容(Ciss): 640pF @ 50V
閾值電壓(Vgs(th)): 2.7V @ 12μA
開(kāi)關(guān)時(shí)間:上升 1.8ns / 下降 2ns
最大功率耗散(Pd):29W
工作溫度:-55°C ~ +150°C
封裝:PG-TSDSON-8(3.3×3.3×1.1mm)
應(yīng)用領(lǐng)域
BSZ440N10NS3G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
AC-DC SMPS 的同步整流:提高電源轉(zhuǎn)換效率。
48V-80V 系統(tǒng)的電機(jī)控制:如家用車(chē)輛、電動(dòng)工具、卡車(chē)等。
隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器:適用于通信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。
48V 系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)和斷路器
D 類(lèi)音頻放大器
不間斷電源 (UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開(kāi)關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BTS5210L
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BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車(chē)和太陽(yáng)能等…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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