商品名稱:ISZ56DP15LM
數(shù)據(jù)手冊(cè):ISZ56DP15LM.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TSDSON-8 FL
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ISZ56DP15LM 12V-250V P溝道功率MOSFET為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)新選項(xiàng),以便在優(yōu)化性能的同時(shí)簡(jiǎn)化電路。P溝道器件的主要優(yōu)點(diǎn)是降低了中低功耗應(yīng)用中的設(shè)計(jì)復(fù)雜性。P溝道功率MOSFET非常適合用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:P 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):1.35A(Ta),6.7A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):560 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 724μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1400 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),62.5W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 FL
封裝/外殼:8-PowerTDFN
應(yīng)用
● 電池保護(hù)
● 反極性保護(hù)
● 線性電池充電器
● 負(fù)載開關(guān)
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 低壓驅(qū)動(dòng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…TLD1120EL
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BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…電話咨詢:86-755-83294757
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