商品名稱:ISC073N12LM6
數(shù)據(jù)手冊(cè):ISC073N12LM6.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ISC073N12LM6功率MOSFET是先進(jìn)的下一代創(chuàng)新性器件,性能極為出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圓技術(shù),顯著提升了性能。與同類產(chǎn)品相比,OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30%,并針對(duì)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。另外,該器件具有更高的品質(zhì)因數(shù)(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd),可讓設(shè)計(jì)人員提高效率并降低系統(tǒng)成本。OptiMOS 6保持了輸出更高功率的優(yōu)勢(shì),其中RDS(on) 損耗顯著降低,從而在整個(gè)工作范圍內(nèi)進(jìn)一步提高了性能。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):120 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):13.4A(Ta),86A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):3.3V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):7.3 毫歐 @ 40A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.2V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):36 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2600 pF @ 60 V
功率耗散(最大值):3W(Ta),125W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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