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NXH010P120MNF1PG是一款EliteSiC MOSFET模塊，在F1模塊中包含一個10mohm 1200C SiC MOSFET半橋和一個NTC熱敏電阻。典型應(yīng)用包括電車充電樁、儲能系統(tǒng)、太陽能逆變器三相和不間斷電源。

規(guī)格

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：2 N 溝道（雙）共源

FET 功能：-

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：114A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 100A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 40mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：454nC @ 20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4707pF @ 800V

功率 - 最大值：250W（Tj）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應(yīng)商器件封裝：-

基本產(chǎn)品編號：NXH010

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