商品名稱:板對板與夾層連接器
品牌:SemiQ
年份:25+
封裝:320POS
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR是一款由Samtec公司生產(chǎn)的高密度陣列板對板連接器,屬于SEARAY? SEAF插座系列。該連接器采用1.27mm間距網(wǎng)格和耐用型Edge Rate?端子系統(tǒng),具有高達56Gbps的性能。此外,SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR連接器符合IPC-A-610F和IPC J-STD-001F標準規(guī)范?。
技術規(guī)格
連接器類型:高密度陣列,母形
針位數(shù):320
間距:0.050"(1.27mm)
排數(shù):8
安裝類型:表面貼裝型
特性:板件導軌,拾放
觸頭表面處理:鍍金
觸頭表面處理厚度:10.0μin(0.25μm)
接合堆疊高度:7mm,8mm,8.5mm,11.5mm,12mm,14mm,16mm,18mm
板上高度:0.199"(5.05mm)
應用領域
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR連接器廣泛應用于需要高密度和高速傳輸?shù)膱鼍?,如?shù)據(jù)中心、交換機、路由器及服務器等算力設備。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SemiQ 設計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉換應用方面的專業(yè)知識,其中包括子系統(tǒng)設計和半定制模塊。SemiQ 服務于以下終端市場:電動汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊,提升能源標準。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應用的創(chuàng)新設計。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):113…GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關損耗、低結殼熱阻以及非常堅固和易于安裝的特點。該模塊在175C結溫下工作,符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉換器。規(guī)格技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功…GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。器件:GCMX010A120B3B1P類型:SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術:碳化硅(SiC)配置:4 N 溝道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個配置有2 個 N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。規(guī)格技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET …電話咨詢:86-755-83294757
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