商品名稱:STM32H735VGT6
數(shù)據(jù)手冊:STM32H735VGT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:100-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:8500 件
STM32H735VGT6 ARM微控制器IC 32位單核550MHz 1MB FLASH 100-LQFP
型號:STM32H735VGT6
封裝:100-LQFP (14x14)
類型:嵌入式 - 微控制器
描述
STM32H735VGT6設(shè)備包含高速嵌入式存儲器,具有1M字節(jié)的閃存、高達(dá)564 KB的RAM(包括可在ITCM和AXI之間共享的192 KB,外加64 KB的專用ITCM,外加128 KB的專用AXI、128 KB的DTCM、48 KB的AHB和4 KB的備份RAM),以及廣泛的增強型I/O和連接到APB總線的外圍設(shè)備,AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣和支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。
特征
32位CORDIC旋轉(zhuǎn)引擎
可編程精度高達(dá)20位
快速收斂:每個時鐘周期4位
支持16位和32位定點輸入和輸出格式
低延遲AHB從接口
無需輪詢或中斷即可立即讀取結(jié)果
DMA讀寫通道
1.62 V至3.6 V應(yīng)用電源和I/O
POR、PDR、PVD和BOR
專用USB電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機驅(qū)動器,采用簡潔卻堅固的設(shè)計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅(qū)動控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。其特點和主要規(guī)格如下:特點包含用于柵極驅(qū)動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景,如工業(yè)控制、電機驅(qū)動、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術(shù),確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…電話咨詢:86-755-83294757
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