最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)英飛凌功率晶體管_IPA80R1K4P7_N溝道_800V CoolMOS? P7 功率MOSFET_效率與熱性能的新標(biāo)桿產(chǎn)品概述IPA80R1K4P7 是 英飛凌推出的 800V CoolMOS? P7 系列超結(jié)MOSFET，采用 TO-220-3 封裝，專(zhuān)為 低功率開(kāi)關(guān)電源（SMPS） 應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)。該器件基…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)英飛凌功率晶體管_IPA80R1K4P7_N溝道_800V CoolMOS? P7 功率MOSFET_效率與熱性能的新標(biāo)桿
產(chǎn)品概述
IPA80R1K4P7 是 英飛凌推出的 800V CoolMOS? P7 系列超結(jié)MOSFET，采用 TO-220-3 封裝，專(zhuān)為 低功率開(kāi)關(guān)電源（SMPS） 應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)。該器件基于 超級(jí)結(jié)技術(shù)，具有 低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)效率 和 優(yōu)異的熱性能，可顯著提升系統(tǒng)能效和功率密度。
IPA80R1K4P7 主要適用于反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于適配器、充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、音頻SMPS、工業(yè)電源及輔助電源 等領(lǐng)域。
核心特性
業(yè)界領(lǐng)先的 FOM，降低開(kāi)關(guān)損耗，提升效率
低導(dǎo)通電阻（1.4Ω @ 10V），減少功率損耗
3V 柵極閾值電壓，最小變化僅 ±0.5V，易于驅(qū)動(dòng)
集成齊納二極管 ESD 保護(hù)（符合 HBM 2 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)），提高抗靜電能力
優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能，降低 Qg、，減少開(kāi)關(guān)損耗
工業(yè)級(jí)可靠性，符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，適用于嚴(yán)苛環(huán)境
性能優(yōu)勢(shì)
相比前代 CoolMOS? C3，效率提升 0.6%，MOSFET 溫度降低 2°C~8°C
支持更高功率密度設(shè)計(jì)，減少 BOM 成本和組裝成本
易于驅(qū)動(dòng)和并聯(lián)，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)
減少 ESD 相關(guān)故障，提高生產(chǎn)良率
IPA80R1K4P7參數(shù)：
ID 最大值：4 A
ID（@25°C）最大值：4 A
IDpuls 最大值：8.9 A
安裝方式：THT
工作溫度：-55 °C 至 150 °C
封裝：TO220 FullPAK
引腳數(shù)：3 引腳
極性：N
Ptot 最大值：24 W
Qgd：5 nC
QG：10 nC
QG（典型值 @10V）：10 nC
RDS（導(dǎo)通）最大值：1400 mΩ
RDS（導(dǎo)通）（@10V）最大值：1400 mΩ
RthJA 最大值：80 K/W
RthJC 最大值：5.1 K/W
Rth：5.1 K/W
特殊功能：性?xún)r(jià)比
VDS 最大值：800 V
VGS(th)：3 V
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