商品名稱:IQDH45N04LM6CG
數(shù)據(jù)手冊(cè):IQDH45N04LM6CG.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
功率 MOSFET IQDH45N04LM6CG 40 V 采用 PQFN 5x6 mm2 降源封裝。該器件具有 0.45 mΩ 的超低 RDS(ON),并具有出色的熱性能,便于管理功率損耗。這使得系統(tǒng)能效更高、功率密度更大,適用于各種終端應(yīng)用,如電池供電工具、SMPS、電信電源和高性能計(jì)算(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和人工智能服務(wù)器群)中的中間總線轉(zhuǎn)換。
特點(diǎn)
? N 通道、對(duì)數(shù)電平
? 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(導(dǎo)通)
? 超強(qiáng)耐熱性
? 通過 100% 老化測(cè)試
? 無鉛鍍層;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
IQDH45N04LM6CG產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TTFN-9
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 637 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 450 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V
Qg-柵極電荷: 62 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
系列: OptiMOS 6
配置: Dual
下降時(shí)間: 14 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 49 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9 ns
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
數(shù)據(jù)通信
高性能計(jì)算
電信
SMPS
折疊
驅(qū)動(dòng)器
電池供電工具
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開關(guān),屬于多通道功率開關(guān)IC,專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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