商品名稱(chēng):IRPS5401MTRPBF
數(shù)據(jù)手冊(cè):IRPS5401MTRPBF.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:56-QFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IRPS5401MTRPBF是一款完整的電源管理單元,可為處理器、FPGA和其他多軌電源系統(tǒng)。四個(gè)高效率可配置開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和一個(gè)源/沉線性穩(wěn)壓器提供所需的典型軌,如內(nèi)核電壓、存儲(chǔ)器電壓和 I/O 電壓。集成的精確電流、電壓和溫度傳感器可通過(guò) I2C/PMBus進(jìn)行遙測(cè)和故障報(bào)告。采用固定頻率仿真電流模式控制,因此無(wú)需外部補(bǔ)償。
特性
● 多輸出直流-直流轉(zhuǎn)換器,集成有FET和排序器
● 在一個(gè)封裝中集成了4個(gè)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和1個(gè)LDO
● 穩(wěn)壓器A至D的電壓輸出范圍為0.25V至5.1V,LDO穩(wěn)壓器的電壓輸出范圍為0.5V至3.6V
● 允許將各輸出相結(jié)合和/或使用外部功率級(jí),從而將輸出電流提高至高達(dá)50A
● 500mA拉電流/灌電流線性穩(wěn)壓器
● 5V至12V單電源運(yùn)行
● 仿真電流模式控制,無(wú)需外部補(bǔ)償
應(yīng)用
● 高密度ASIC、FPGA以及CPU多軌系統(tǒng)
● Xilinx Zynq ZU02轉(zhuǎn)ZU19嵌入式系統(tǒng)
● 通訊和電信
● 存儲(chǔ)系統(tǒng)
● 視頻處理
● 物聯(lián)網(wǎng) (IoT)
● 儀器儀表
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
VQFN-HR-28
2000
汽車(chē)用三路3A低噪聲降壓轉(zhuǎn)換器和5V升壓轉(zhuǎn)換器電源管理IC(PMIC),適用于雷達(dá)MMIC
Maxim
WLP-16
1000
專(zhuān)業(yè)電源管理 (PMIC) 配備 4 個(gè)輸出 SIMO 的 Nano Power PMIC 可提供高達(dá) 1.25W 的輸出功率
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開(kāi)關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專(zhuān)為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),屬于多通道功率開(kāi)關(guān)IC,專(zhuān)為 汽車(chē)電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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