商品名稱:IGLR60R260D1
數(shù)據(jù)手冊:IGLR60R260D1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TSON-8-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IGLR60R260D1 是 N 溝道 600V CoolGaN? 增強(qiáng)型功率晶體管。
特點(diǎn)
增強(qiáng)型晶體管,常閉開關(guān)
采用小尺寸無引線 SMD 封裝的 GaN HEMT
GaN 定制資質(zhì)
超快開關(guān)
無反向恢復(fù)電荷
可反向傳導(dǎo)
低柵極電荷、低輸出電荷
卓越的換向堅(jiān)固性
提高系統(tǒng)效率
提高功率密度
實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率
降低系統(tǒng)成本
降低 EMI
符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)(JESD47 和 JESD22)的工業(yè)應(yīng)用要求
無鉛、無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
適用于工業(yè)、電信和數(shù)據(jù)中心的基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的 SMPS(用于硬開關(guān)和軟開關(guān)的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如圖騰柱 PFC、高頻 LLC)
低功率 SMPS
充電器和適配器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開關(guān),屬于多通道功率開關(guān)IC,專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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