商品名稱:1ED3890MC12M
數(shù)據(jù)手冊(cè):1ED3890MC12M.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:16-BSSOP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
1ED3890MC12M增強(qiáng)型X3數(shù)字系列可通過(guò)I2C配置DESAT、軟關(guān)閉、UVLO、米勒鉗位、兩級(jí)關(guān)閉 (TLTO) 和故障功能,簡(jiǎn)化高可靠性系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。X3數(shù)字系列 (1ED38xx) 支持通過(guò)I2C接口(引腳SDA和SCL)從輸入進(jìn)行調(diào)整。英飛凌1ED38xx單通道隔離式驅(qū)動(dòng)器的輸出電流高達(dá)9A,最大輸出電源電壓為40V ,采用節(jié)省空間的DSO-16小間距寬體封裝,爬電距離為8mm。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):磁耦合
通道數(shù):1
電壓 - 隔離:5700Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值):200V/ns
傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):270ns,262ns
上升/下降時(shí)間(典型值):15ns,15ns
電流 - 輸出高、低:9A,9A
電流 - 峰值輸出:9A
電壓 - 輸出供電:13V ~ 25V
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-BSSOP(0.295",7.50mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-16-28
認(rèn)證機(jī)構(gòu):UL,VDE
應(yīng)用
● 太陽(yáng)能電池組列逆變器
● EV充電
● UPS
● 工業(yè)驅(qū)動(dòng)器
● 公共接口卡 (CAC)
● 焊接設(shè)備
● 電感加熱電器
● 服務(wù)器和電信系統(tǒng)用電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開(kāi)關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),屬于多通道功率開(kāi)關(guān)IC,專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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