商品名稱:S29GL256P11FFIV20
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:64-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
S29GL256P11FFIV20是采用 90 納米工藝技術制造的 Mirrorbit? 閃存產品。這些器件提供 25 ns 的快速頁面訪問時間和 90 ns 的相應隨機訪問時間。它們具有一個寫緩沖器可在一次操作中最多編程 32 個字/64 個字節(jié),因此有效編程時間比標準編程算法更快。因此,這些器件非常適合當今要求更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式應用的理想選擇。
產品屬性
存儲器類型:非易失
存儲器格式:閃存
技術:FLASH - NOR
存儲容量:256Mb
存儲器組織:32M x 8
存儲器接口:并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁:110ns
訪問時間:110 ns
電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:64-LBGA
供應商器件封裝:64-FBGA(13x11)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…BTS5016SDA
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BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉換應用設計,具有低導通電阻、快速開關能力和高可靠性等特點。BSZ440N10NS3G產品特性低導通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側電源開關,屬于多通道功率開關IC,專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應用設計。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質因數 (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關性能(低品質因數Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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