商品名稱:CY8C4146PVE-S432
數(shù)據(jù)手冊(cè):CY8C4146PVE-S432.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:28-SSOP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
CY8C4146PVE-S432微控制器 (MCU) 通過(guò)可編程模擬塊為PSoC 4微控制器架構(gòu)添加了智能模擬功能。這些MCU采用CapSense?技術(shù)。PSoC 4100硬件模塊支持輕松快速地創(chuàng)建具有運(yùn)算放大器和濾波器的自定義模擬前端 (AFE) 和信號(hào)調(diào)理電路。另外,還可提供帶集成BLE連接的PSoC 4100 MCU選項(xiàng)。
產(chǎn)品屬性
核心處理器:ARM? Cortex?-M0+
內(nèi)核規(guī)格:32-位
速度:48MHz
連接能力:I2C,IrDA,LINbus,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART
外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位,電容感應(yīng),LCD,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):24
程序存儲(chǔ)容量:64KB(64K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:閃存
RAM 大?。?K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 16x10b,12x12b SAR; D/A 2x7b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:28-SSOP(0.209",5.30mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:28-SSOP
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
TI
VQFN-32
9000
MSP430 CPU16 MSP430G2xx 微控制器 IC 16 位 16MHz 16KB(16K x 8) 閃存 32-VQFN(5x5)
Cypress
QFN-40
2000
ARM? Cortex?-M0+ null 微控制器 IC 32-位 24MHz 16KB(16K x 8) 閃存 40-QFN(6x6)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開(kāi)關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),屬于多通道功率開(kāi)關(guān)IC,專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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