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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號:IGOT60R042D1

商品名稱:IGOT60R042D1

數(shù)據(jù)手冊:IGOT60R042D1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:20-PowerSOIC

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IGOT60R042D1
封裝
20-PowerSOIC
描述
用于大功率應(yīng)用的 600 V CoolGaN? e 模式功率晶體管,采用頂部冷卻功率封裝

產(chǎn)品描述

IGOT60R042D1 CoolGaN? 600V 增強(qiáng)型功率晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷速度快,開關(guān)損耗小,可實(shí)現(xiàn)簡單的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并具有最高的效率。


該系列氮化鎵 HEMT 采用最佳功率耗散 SMD 封裝,適合需要緊湊型器件(帶或不帶散熱器)的應(yīng)用。


CoolGaN? 600 V 系列氮化鎵器件通過了全面的氮化鎵定制認(rèn)證,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)。


DSO-20-87 封裝是一種引線式 SMD 封裝,專為需要頂部冷卻封裝的大功率 SMPS 而設(shè)計(jì)。它適用于數(shù)據(jù)通信和服務(wù)器 SMPS、電信和可再生能源以及要求最高效率或功率密度的眾多其他應(yīng)用。


特征描述

適合功率密度驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中最佳系統(tǒng)解決方案尺寸的最佳功率耗散頂部和底部冷卻 GaN HEMT

CoolGaN? 600 V 系列,GaN 定制資格認(rèn)證


優(yōu)勢

提高系統(tǒng)效率

提高功率密度

實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率

降低系統(tǒng)成本

減少電磁干擾


潛在應(yīng)用

工業(yè)

電信

基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)中心 SMPS

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GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,5 mΩ

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INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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