商品名稱:IGLD60R190D1S
數(shù)據(jù)手冊:IGLD60R190D1S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-LSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IGLD60R190D1S氮化鎵 HEMT 采用小尺寸 SMD 封裝,適用于需要無散熱器緊湊型器件的應用。CoolGaN? 600 V 系列氮化鎵器件通過了全面的氮化鎵定制認證,遠遠超出了現(xiàn)有標準。PG-LSON-8 封裝是一種無引線 SMD 封裝,專為要求最高效率和功率密度的消費類 SMPS 和高密度充電器而設計。
這種扁平封裝具有 8x8mm2 的小尺寸。該封裝尺寸具有增強的熱阻,結合其基準低寄生電感,可在功率密度驅(qū)動的設計中作為縮小系統(tǒng)解決方案尺寸的一種新的有效方法。
特征描述
具有增強熱阻的小尺寸 GaN HEMT,適合功率密度驅(qū)動設計中的最佳系統(tǒng)解決方案尺寸
CoolGaN? 600V 系列,GaN 定制資格認證
優(yōu)勢
提高系統(tǒng)效率
提高功率密度
實現(xiàn)更高的工作頻率
降低系統(tǒng)成本
減少電磁干擾
潛在應用
低功耗 SMPS
充電器/適配器
基于半橋拓撲結構的消費類 SMPS(用于硬開關和軟開關的半橋拓撲結構,如圖騰柱 PFC、高頻 LLC)。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…電話咨詢:86-755-83294757
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