商品名稱:FF2MR12KM1HP
數(shù)據(jù)手冊(cè):FF2MR12KM1HP.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FF2MR12KM1HP 62 毫米 1200 V、2.1 mΩ 半橋模塊,采用 CoolSiC? MOSFET 技術(shù),采用眾所周知的 62 毫米外殼,結(jié)合 M1H 芯片技術(shù)和預(yù)涂熱界面材料 (TIM)。
產(chǎn)品特性
IGBT 類型:溝槽場(chǎng)截止
配置:半橋
電壓 - 集電極擊穿(最大值): 1200 В
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:無
安裝類型:底座安裝
包裝/外殼:模塊
供應(yīng)商設(shè)備包裝:AG-62MM
應(yīng)用
● UPS 系統(tǒng)
● 太陽能應(yīng)用
● DC/DC 轉(zhuǎn)換器
● 高頻開關(guān)應(yīng)用
● 儲(chǔ)能系統(tǒng)
● 電動(dòng)汽車直流充電器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
Module
2000
IGBT 模塊 溝槽現(xiàn)場(chǎng)停止 2 獨(dú)立 1200 V 600 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…電話咨詢:86-755-83294757
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