商品名稱:S70KS1282GABHB023
數(shù)據(jù)手冊:S70KS1282GABHB023.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S70KS1282GABHB023 是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,帶有 HYPERBUS? 接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS? 接口主控器(主機(jī))不主動讀寫存儲器時(shí),器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列的刷新操作。
產(chǎn)品特性
- 接口
- HYPERBUS? 接口
- 支持 1.8 V/3.0 V 接口
- 單端時(shí)鐘 (CK) - 11 個(gè)總線信號
- 可選差分時(shí)鐘 (CK, CK#) - 12 個(gè)總線信號
- 性能、功耗和封裝
- 最大時(shí)鐘頻率 200 MHz
- DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿傳輸數(shù)據(jù)
- 數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400 MBps(3,200 Mbps)
- 可配置的突發(fā)特性
- 混合選項(xiàng)--64 Mb 上有一個(gè)封裝突發(fā)和一個(gè)線性突發(fā)。不支持跨芯片邊界的線性突發(fā)。
- 可配置的輸出驅(qū)動強(qiáng)度
- 電源模式[1]
- 混合睡眠模式
- 深度關(guān)機(jī)
- 陣列刷新
- 部分存儲器陣列(1/8、1/4、1/2 等)
- 全存儲器陣列
- 封裝
- 24 球 FBGA
- 工作溫度范圍
- 工業(yè) (I): -40°C 至 +85°C
- 工業(yè)加 (V): -40°C 至 +105°C
- 汽車 (A),AEC-Q100 3 級:-40°C 至 +85°C
- 汽車 (B),AEC-Q100 2 級:-40°C 至 +105°C
- 技術(shù)
- 38 納米 DRAM
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IR3899MTRPBF
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BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開關(guān),屬于多通道功率開關(guān)IC,專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…電話咨詢:86-755-83294757
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