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IPD80R2K7C3A是一款800V CoolMOS? C3A 超級結 MOSFET 功率晶體管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 800 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 2A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 2.7 歐姆 @ 1.2A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.9V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 290 pF @ 100 V  

功率耗散（最大值）： 42W（Tc）  

工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： D-Pak  

封裝/外殼： TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

潛在應用

為汽車板載電力電子系統(tǒng)中的較低功率的應用開發(fā)

牽引逆變器、板載充電器和板載直流-直流轉換器中的輔助供電電路

返馳式拓撲結構，例如：

CCM 返馳式

DCM 返馳式

QR 返馳式

無緩沖 (QR) 返馳式

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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