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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號:ISZ113N10NM5LFATMA1

商品名稱:ISZ113N10NM5LFATMA1

數(shù)據(jù)手冊:ISZ113N10NM5LFATMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TSDSON-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
ISZ113N10NM5LFATMA1
封裝
TSDSON-8
描述
表面貼裝型 N 通道 100 V 10A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),100W(Tc) PG-TSDSON-8 FL

產(chǎn)品描述

ISZ113N10NM5LFATMA1  OptiMOS? 5線性FET具有非常低的導(dǎo)通電阻和100V VDS。該產(chǎn)品組合包括11.3m?低導(dǎo)通電阻RDS(on)。此器件采用TDSON-8FL或S3O8封裝,工作溫度范圍為-55°C至175°C。


產(chǎn)品屬性:

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):10A(Ta),63A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):11.3 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 36μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):29 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2300 pF @ 50 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),100W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 FL

封裝/外殼:8-PowerTDFN


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常見問題

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