商品名稱:晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMZA120R007M1HXKSA1 是功率因數(shù)校正 (PFC) 電路、雙向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器或 DC-AC 逆變器等硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的理想選擇。它具有 1200 V 開(kāi)關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容水平,內(nèi)部換向證明體二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗,與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗,以及無(wú)閾值導(dǎo)通特性。
特點(diǎn)
同類最佳的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓,Vth > 4 V
0 V 關(guān)斷柵極電壓,可輕松實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
柵極-源極電壓范圍寬
堅(jiān)固耐用的低損耗體二極管,額定用于硬換向
關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗與溫度無(wú)關(guān)
.XT 互連技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類最佳的散熱性能
優(yōu)勢(shì)
最高效率
減少冷卻工作量
更高的工作頻率
功率密度更高
降低系統(tǒng)復(fù)雜性
應(yīng)用
電池陣列
DIN 導(dǎo)軌電源
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車(chē)充電
燃料電池控制裝置
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開(kāi)關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),屬于多通道功率開(kāi)關(guān)IC,專為 汽車(chē)電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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