商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
FF6MR12W2M1HPB11 EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,1200 V,6 mΩ G1,集成 NTC 溫度傳感器和 PressFIT 觸點技術(shù)。
特點
同類最佳封裝,高度為 12 毫米
領先的 WBG 材料
極低的模塊雜散電感
增強型 CoolSiC? MOSFET Gen 1
更大的柵極驅(qū)動電壓窗口
電壓窗口為 15 至 18 V 和 0 至 -5 V
擴展的最大柵極-源極電壓
柵極-源極電壓為 +23 V 和 -10 V
Tvjop:過載條件高達 175°C
集成 NTC 溫度傳感器
應用
儲能系統(tǒng)
電動汽車充電
燃料電池 DC/DC 升壓轉(zhuǎn)換器
光伏
不間斷電源 (UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…電話咨詢:86-755-83294757
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